ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ СЛОИСТЫХ ФАЗ LaZnAsO1-Оґ СО СТРУКТУРОЙ ZrCuSiAs: FLAPW-GGA МОДЕЛИРОВАНИЕ
В.В. Банников, И.Р. Шеин
Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Россия, Екатеринбург, ул. Первомайская, 91 bannikov@ihim.uran.ru
Ключевые слова: 1111 фазы, нестехиометрия, ab initio моделирование, 1111 phases, non-stoichiometry, ab initio simulation
Страницы: 843-845
Аннотация
Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ = 0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La-O] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана.
DOI: 10.15372/JSC20160425 |