Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.137.169.14
    [SESS_TIME] => 1732354370
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9b233658d8255a203cd682dcc3878362
    [UNIQUE_KEY] => 56cca37dbbd02c7d65efda9db60be24b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2016 год, номер 4

ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ СЛОИСТЫХ ФАЗ LaZnAsO1-Оґ СО СТРУКТУРОЙ ZrCuSiAs: FLAPW-GGA МОДЕЛИРОВАНИЕ

В.В. Банников, И.Р. Шеин
Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Россия, Екатеринбург, ул. Первомайская, 91
bannikov@ihim.uran.ru
Ключевые слова: 1111 фазы, нестехиометрия, ab initio моделирование, 1111 phases, non-stoichiometry, ab initio simulation
Страницы: 843-845

Аннотация

Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ = 0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La-O] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана.

DOI: 10.15372/JSC20160425