МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ГРАФИТА МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
И.Р. Шеин, М.В. Кузнецов, А.Н. Еняшин
Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Россия, Екатеринбург, ул. Первомайская, 91 Enyashin@ihim.uran.ru
Ключевые слова: графен, графит, точечные дефекты, метод функционала электронной плотности, молекулярная динамика, graphene, graphite, point defects, density functional theory, molecular dynamics
Страницы: 846-850
Аннотация
С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования.
DOI: 10.15372/JSC20160426 |