МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МДП-СТРУКТУР НА Ge
Е.Б. Горохов, К.Н. Астанкова
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
gorokhov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: Ge-планарная технология, МДП-транзистор, подзатворный диэлектрик модификация окислов германия, диоксида кремния, нитрида кремния, нитрида германия, Ge planar technology, MIS transistor gate insulator, germanium oxide modification, silicon dioxide, silicon nitride, germanium nitride
Страницы: 14-20
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
На основе материаловедческих исследований композиций диэлектрических слоёв разработан новый технологический маршрут изготовления МДП-транзистора на Ge. Применив процесс gate-first и модифицированную прослойку термического GeO2 с повышенной вязкостью на границе раздела с Ge-подложкой, удалось закапсулировать в ней нежелательные примеси. Увеличение плотности окисного слоя вблизи германия после взаимодействия с осаждённой плёнкой Si3N4 препятствовало диффузии в канал транзистора адсорбированных поверхностью подложки примесей. Это позволило повысить подвижность электронов в МДП-транзисторе и исключить её снижение при криогенных температурах.
DOI: 10.15372/AUT20160502 |
