ПРИЁМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК PbSnTe:In, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В ТЕРАГЕРЦОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА
И.Г. Неизвестный1, А.Э. Климов1, В.В. Кубарев2, В.Н. Шумский1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
neizv@isp.nsc.ru
2Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
V.V.Kubarev@inp.nsk.su
Ключевые слова: фотоприёмники, фотоприёмные устройства, инфракрасный диапазон, субмиллиметровый диапазон, PbSnTe:In, photodetectors, infrared range, submillimeter range, PbSnTe:In
Страницы: 55-70
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Аннотация
Представлен обзор исследований фотоэлектрических свойств плёнок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и параметров фоточувствительных структур дальнего ИК- и субмиллиметрового диапазонов на их основе. Сравниваются параметры многоэлементных фотоприёмных устройств этого типа и приёмников на основе примесных полупроводников и сверхпроводников. Реализованы линейчатые (2 x 128) и матричные (128 x 128 элементов) многоэлементные фотоприёмные устройства на основе PbSnTe:In с краем чувствительности ~22 мкм и рабочей температурой T ≤ 16 К. В бесфоновых условиях мощность, эквивалентная шуму, достигала значений МЭШ ≤ 10-18 Вт/Гц0,5 при T = 7 К по источнику излучения типа абсолютно чёрное тело с TАЧТ = 77 К. В субмиллиметровой области спектра наблюдалась чувствительность к лазерному излучению с длиной волны λ ≤ 205 мкм и величиной МЭШ ≤ 10-12 Вт/Гц0,5 без оптимизации конструкции макета фоточувствительного элемента и минимизации шумов схемы измерений. Рассмотрены направления развития приёмников излучения на основе PbSnTe:In.
DOI: 10.15372/AUT20160508 |
