Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.116.90.57
    [SESS_TIME] => 1732186383
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 276d67798f7ea015d113515802f4aa32
    [UNIQUE_KEY] => dcc81f8424bafd6ee57a57ba09256934
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

    [SALE_USER_ID] => 0
)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 5

ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Si-SiO2-О±-Si-SiO2 ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОТЖИГАХ: ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ

И.Г. Неизвестный1,2, В.А. Володин1,3, Г.Н. Камаев1, С.Г. Черкова1, С.В. Усенков1, Н.Л. Шварц1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
neizv@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
nataly.shwartz@isp.nsc.ru
3Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
volodin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: многослойные структуры, нанокристаллы, кремний, тонкие плёнки SiO, плазмохимическое осаждение, моделирование методом Монте-Карло, multilayer structures, nanocrystals, silicon, SiO thin films, plasmochemical deposition, Monte Carlo simulation
Страницы: 84-96
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ

Аннотация

Проведены экспериментальные и модельные исследования процессов формирования кремниевых нанокристаллов (Si-НК) в многослойных структурах с чередующимися ультратонкими слоями SiO2 и аморфного гидрогенизированного кремния (α-Si:H) в условиях высокотемпературных отжигов. Влияние отжигов на трансформацию структуры слоёв α-Si:H изучалось с привлечением методов электронной просвечивающей микроскопии высокого разрешения, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Методом Монте-Карло проанализированы условия и кинетика формирования Si-НК. Обнаружена зависимость типа формируемых кристаллических кремниевых кластеров от толщины и пористости исходного аморфного кремниевого слоя, заключённого между слоями SiO2. Показано, что увеличение толщины слоя α-Si при низкой пористости приводит к образованию перколяционного кремниевого кластера вместо изолированных Si-НК.

DOI: 10.15372/AUT20160510
Скачать pdf-версию статьи