МОДЕЛИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУХЕЙСЛЕРОВСКОГО ТИПА СО СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА: Li2MgZnX2 (X = N, P, As, Sb)
Ю.М. Басалаев, М.В. Стародубцева
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
ymbas@mail.ru
Ключевые слова: халькопирит, полухейслеровское соединение, зонная структура, электронная плотность, деформационная плотность, химическая связь, chalcopyrite, half-Heusler compound, band structure, electron density, deformation density, chemical bond
Страницы: 1591-1596
Аннотация
Рассмотрена модель полухейслеровских соединений Li2MgZn X 2 с кристаллической структурой подобной структуре халькопирита. Из первых принципов изучено электронное строение и установлено, что кристаллы Li2MgZn X 2 являются прямозонными, кроме псевдопрямозонного Li2MgZnP2, с шириной запрещенной зоны 2,7, 2,2, 3,3 и 2,5 эВ для X = N, P, As и Sb соответственно. Выявлена аналогия зонной структуры и химической связи модельных кристаллов с полухейслеровскими кристаллами LiMg X и LiZn X . Получены карты распределения полной и деформационной электронных плотностей. Установлено, что ионно-ковалентные связи Mg- X и Zn- X в кристаллах Li2MgZn X 2 являются более прочными, чем ионные связи Li- X , благодаря чему атомы Li могут перемещаться в пространстве между катионными тетраэдрами Mg X 4 и Zn X 4.
DOI: 10.15372/JSC20160802 |
