СТОХАСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ДВУМЕРНЫХ И ТРЁХМЕРНЫХ НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Ч. II. РЕЗУЛЬТАТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ
К.К. Сабельфельд, А.Е. Киреева
Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 6
karl@osmf.sscc.ru
Ключевые слова: рекомбинация, полупроводник, диффузия, туннелирование, стохастическое моделирование, клеточный автомат, recombination, semiconductor, diffusion, tunneling, stochastic simulation, cellular automaton
Страницы: 117-124
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Представлены результаты стохастического моделирования рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях, основанного на дискретном (клеточный автомат) и непрерывном (метод Монте-Карло) подходах. Исследована кинетика процесса рекомбинации частиц в режимах чистой диффузии и диффузии с туннелированием. Обнаружено различие в поведении электронно-дырочных пространственных корреляций, вычисляемых дискретной и непрерывной моделями, и связанного с этим характера формирования сегрегации в трёхмерных полупроводниках. Проведён сравнительный анализ характеристик моделирования, вычисленных с помощью клеточно-автоматной и непрерывной моделей рекомбинации.
DOI: 10.15372/AUT20170214 |
