ЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ С ЗАМЕЩЕНИЯМИ
А.И. Романенко1,2, Г.Е. Яковлева1, В.Е. Фёдоров1,3, А.Ю. Леднева1, В.А. Кузнецов1, А.В. Сотников1, А.Р. Цыганкова1,3, Б.М. Кучумов1
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
air@niic.nsc.ru
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: слоистые халькогениды переходных металлов, электропроводность, термоэдс, layered transition metal chalcogenides, electrical conductivity, Seebeck coefficient
Страницы: 932-939
Аннотация
Исследованы температурные зависимости электропроводности в интервале 4,2-300 K и термоэдс при комнатной температуре объемных образцов из поликристаллов дихалькогенидов вольфрама с замещениями вольфрама на ниобий и серы на селен - W1- x Nb x (S1- y Se y )2. Обнаружена двумеризация электронных транспортных свойств при содержании ниобия x ³ 0,1 в W1- x Nb x S2 и x ³ 0,05 в W1- x Nb x Se2. В образцах с дополнительным частичным замещением серы на селен электронный транспорт остается трехмерным. Термоэдс при комнатной температуре (при равных значениях электропроводности) в образцах с квазидвумерным транспортом в несколько раз выше, чем в образцах с трехмерным транспортом; расчет фактора мощности при комнатной температуре показывает его увеличение в 9 раз.
DOI: 10.15372/JSC20170506 |
