ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОДЛОЖКИ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ПРОЦЕССАХ ЭПИТАКСИИ СЛОЁВ InSb
В.А. Швец1,2, И.А. Азаров1, С.В. Рыхлицкий1, А.И. Торопов1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
shvets@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: антимонид индия, эллипсометрия, температура поверхности, in situ, термометрия, критические точки, indium antimonide, ellipsometry, surface temperature, in situ thermometry, critical points
Страницы: 12-20
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Аннотация
Работа посвящена решению проблемы in situ термометрии низкотемпературных процессов молекулярно-лучевой эпитаксии антимонида индия. Предложен спектральный эллипсометрический метод измерения температуры эпитаксиальных слоёв InSb, основанный на температурной зависимости энергетического положения критических точек. Измерены спектры эллипсометрических параметров материала в температурном диапазоне 25-270 ◦C. Анализ спектров показывает, что наиболее чувствительными к температуре параметрами являются спектральные положения максимумов эллипсометрического параметра Ψ, которые проявляются вблизи критических точек E1 и E1 + ∆1. Установлено, что зависимости положений максимумов от температуры в указанном температурном интервале линейны с коэффициентами наклона соответственно 0,21 и 0,10 нм/◦C. Эти коэффициенты определяют чувствительность метода и позволяют в итоге обеспечить точность измерения температуры порядка 2-3 ◦C.
DOI: 10.15372/AUT20190102 |
