Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.15.186.78
    [SESS_TIME] => 1732201337
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 73cbf0cc71b65d00868ea39855bbcf84
    [UNIQUE_KEY] => d562e01fe3b954a353895c1f7dcfd3e1
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2019 год, номер 5

ШИРОКОПОЛОСНЫЕ С МАЛЫМ ВРЕМЕНЕМ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗЕРКАЛА ДЛЯ ПАССИВНОЙ СИНХРОНИЗАЦИИ МОД ЛАЗЕРОВ БЛИЖНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА

Н.Н. Рубцова1, Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, В.В. Преображенский1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, водников им. А. В. Ржанова СО РАН
rubtsova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
gennadiy.m.borisov@gmail.com
Ключевые слова: квантовые ямы, полупроводниковые зеркала с насыщением поглощения, пассивная синхронизация мод лазеров, quantum well, semiconductor mirrors with absorption saturation, passive laser mode locking
Страницы: 20-23

Аннотация

Рассмотрены конструкции зеркал с насыщающимся поглощением как монолитные, выращенные из полупроводниковых материалов, так и зеркала с диэлектрическим отражателем с переносом на диэлектрик полупроводниковых структур, содержащих квантовые ямы. Для обоих типов зеркал получена высокая отражательная способность в области ближнего ИК-диапазона спектра: для полупроводниковых отражателей ширина «оптического стола» составляет около 100 нм, для диэлектрических - более 200 нм. Показана возможность максимальной глубины модуляции поглощения от 1 до 40 %. Время восстановления насыщающегося поглотителя (порядка 2 пс) делает такие зеркала принципиально пригодными для использования в лазерах с частотой следования импульсов до 1 ГГц.

DOI: 10.15372/AUT20190503