ЭКСПРЕССНАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОВЕРШЕНСТВА СТРУКТУР CdxHg1-xTe МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ НА ОТРАЖЕНИЕ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ ЗОНДИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
М.Ф. Ступак1,2, Н.Н. Михайлов2,3, С.А. Дворецкий3,4, М.В. Якушев3
1Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
4Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Ключевые слова: кристаллы класса ВЇ43m, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры CdxHg1-xTe, 43m class crystals, second harmonic, azimuthal angular dependences, GaAs substrates, CdHgTe structures
Страницы: 31-39
Аннотация
Представлены результаты численного моделирования для кристаллов класса ¯43m и экспериментальные результаты азимутальных угловых зависимостей поляризационных компонент сигнала второй гармоники, отражённой от подложек GaAs с ориентацией (013), буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs и структур CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs, последовательно выращенных на этих подложках при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013)GaAs и буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs выявлено, что отклонения от базового среза (013) по углам θ, ϕ составили 1-3◦ у подложек GaAs и до 8◦ у буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs. Наблюдаемая асимметрия минимумов угловой экспериментальной зависимости сигнала второй гармоники в подложках GaAs связана с напряжениями. На основе экспериментальных данных высказано предположение, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости χxyz(ω) кристаллической структуры CdxHg1-xTe существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.
DOI: 10.15372/AUT20190505 |
