Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.105.149
    [SESS_TIME] => 1732203600
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bf645318d20a84876bfd47869ecb737c
    [UNIQUE_KEY] => cc45e7aed83592fd811d2c255650a257
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2019 год, номер 5

ВЛИЯНИЕ СТУПЕНЧАТОГО ПРОФИЛЯ СОСТАВА НА ФОРМИРОВАНИЕ ИНВЕРСИИ В ПЛЁНКАХ МАТЕРИАЛА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР

В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stuchin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, кадмий-ртуть-теллур, область пространственного заряда, встроенный заряд, инверсия, photoreceiver, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial charge region, embedded charge, inversion
Страницы: 40-47

Аннотация

В контексте задачи обеспечения условий для нормальной работы фотоприёмных диодных матриц изучено влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в плёнках материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) под действием встроенного заряда Qi изолирующего диэлектрика. Дан анализ задачи максимизации предельно допустимой величины Qi, ещё не приводящей к формированию в системе инверсии, посредством варьирования параметров системы: величины разрыва краёв зон для носителей заряда в КРТ, толщины широкозонного поверхностного КРТ-слоя, температуры и уровня легирования двухслойной плёнки материала КРТ.

DOI: 10.15372/AUT20190506