Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.14.135.82
    [SESS_TIME] => 1732392782
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => f9f210037887c7c3f0f0233f9ef41c22
    [UNIQUE_KEY] => d904282707797e722a04e22fde1315cd
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [VOTE] => Array
        (
            [VOTES] => Array
                (
                )

        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2019 год, номер 5

ПЛАЗМОН-УСИЛЕННАЯ БЛИЖНЕПОЛЬНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР

К.В. Аникин1, А.Г. Милёхин1,2, M. Rahaman3,3, Т.А. Дуда1, И.А. Милёхин1,3, Е.Е. Родякина1,2, Р.Б. Васильев4, V. Dzhagan5,6, D. Zahn3,3, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
anikin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
3Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany
mahfujur.rahaman@s2011.tu-chemnitz.de
4Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
romvas@inorg.chem.msu.ru
5V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
dzhagan@isp.kiev.ua
6Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine
Ключевые слова: гигантское комбинационное рассеяние света, наноструктуры, квантовые точки, двумерные структуры, плазмоны, фононы, giant Raman scattering of light, nanostructures, quantum dots, two-dimensional structures, plasmons, phonons
Страницы: 78-85

Аннотация

Проведён локальный спектральный анализ многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, основанный на гигантском комбинационном рассеянии света (КРС) полупроводниковыми наноструктурами, расположенными на поверхности массива нанокластеров Au вблизи металлизированной иглы атомно-силового микроскопа. В зазоре между металлическими нанокластерами и иглой, где расположена полупроводниковая наноструктура, возникает сильное увеличение локального электрического поля («горячая точка»), и, как следствие, резко усиливается сигнал КРС. Достигнуто беспрецедентное усиление сигнала КРС двумерными (свыше 108 для MoS2) и нульмерными (106 для нанокристаллов CdSe) полупроводниковыми наноструктурами. Применение метода для картирования КРС многокомпонентной системы из MoS2 и CdSe позволило идентифицировать составляющие компоненты с пространственным разрешением, существенно превышающим дифракционный предел.

DOI: 10.15372/AUT20190511
Скачать pdf-версию статьи