МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФФУЗИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ ИК КРТ ФПУ
А.В. Вишняков, В.В. Васильев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
vishn@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, материал кадмий-ртуть-теллур, пространственное разрешение, частотно-контрастная характеристика, фотоэлектрическая связь, диффузия носителей заряда, метод Монте-Карло, изолирующие диоды, photodetector, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial resolution, frequency contrast characteristic, photoelectric connection, charge carrier diffusion, Monte Carlo method, isolating diodes
Страницы: 115-121
Аннотация
Проведено моделирование методом Монте-Карло диффузии носителей заряда в фоточувствительной плёнке инфракрасных фотоприёмных устройств (ИК ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур для определения пространственного разрешения (частотно-контрастной характеристики) таких ФПУ. Приведены результаты расчётов для матричных и линейчатых ФПУ с разным дизайном фотоэлементов матрицы, включая конфигурации с изолирующими диодами. Дано сравнение рассчитанных данных с экспериментально измеренными величинами разрешения реальных фотоприёмников.
DOI: 10.15372/AUT20190516 |
