О возможности реализации ТГц-излучения, генерируемого на разностной частоте в монокристалле ZnGeP2 при накачке излучением лазера на парах стронция
Н.Н. ЮДИН1, В.В. ДЕМИН2, А.Н. СОЛДАТОВ2, А.С. ШУМЕЙКО2, Н.А. ЮДИН1,2
1Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева РАН, 634055, г. Томск, пл. Академика Зуева, 1 rach3@yandex.ru 2Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36 dyomin@mail.tsu.ru
Ключевые слова: лазер на парах стронция, разностная частота, терагерцовое излучение, strontium vapor laser, differential frequency generation, terahertz radiation
Страницы: 192-198
Аннотация
Рассмотрены условия формирования ТГц-излучения в монокристаллах ZnGeP2 при генерации разностной частоты. Показано, что для реализации эффективного ТГц-излучения требуются источники двухчастотной лазерной накачки с длительностью импульсов генерации ~ 1 нс. Предлагается использовать в качестве такого источника ИК-излучение (на переходах Sr I в области 3 мкм и Sr II - 1 мкм) системы «задающий генератор - усилитель» на парах стронция. Рассмотрены условия формирования инверсии населенности, при которых в активной среде лазера на парах стронция реализуется длительность импульсов генерации ~ 1 нс. Показано, что при использовании такой системы можно увеличить среднюю мощность генерации лазера на парах стронция пропорционально увеличению объема активной среды усилителя.
DOI: 10.15372/AOO20200307 |