Пленочное охлаждение за двумя рядами траншей на плоской поверхности
А.А. Халатов1,2,3, Г‹. Щuджy2, Д. Ван2, Т.В. Доник1,3
1Институт технической теплофизики НАН Украины, Киев, Украина
artem.khalatov1942@gmail.com
2Джэйджанг университет, Синхуа, Китай
eshiju@163.com
3Национальный технический университет Украины, Киевский политехнический институт им. Игоря Сикорского, Киев, Украина
doniktv@ukr.net
Ключевые слова: траншея, два ряда отверстий, эффективность пленочного охлаждения, компьютерное моделирование
Страницы: 545-554
Аннотация
Представлены результаты компьютерного моделирования пленочного охлаждения за двумя рядами траншей на адиабатной поверхности с подачей охладителя через наклонные отверстия в траншее. Расчеты выполнены в диапазоне изменения параметра вдува от 0,4 до 2,2 с использованием коммерческого пакета ANSYS CFX 14 и SST модели турбулентности. Обнаружено, что при параметре вдува m > 0,6 за второй траншеей наблюдается асимметрия эффективности пленочного охлаждения, которая увеличивается с ростом параметра вдува. Это объясняется нестационарным характером взаимодействия охлаждающих струй из отверстий первого и второго рядов. В области между первым и вторым рядами траншей около концевых «полос» эффективность пленочного охлаждения на 5¸10 % выше, чем около средних, а за второй траншеей на 8¸20 % ниже, что связано с шахматным расположением отверстий вдува. Для всех параметров вдува осредненная по площади эффективность пленочного охлаждения около концевых «полос» адиабатной поверхности ниже, чем около средних.
|
