ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЧАСТОТНО-КОНТРАСТНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНФРАКРАСНЫХ КРТ-МАТРИЦ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЪЁМНОЙ ДЛИНЫ ДИФФУЗИИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МАТЕРИАЛЕ АБСОРБЕРА
В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vas@isp.nsc.ru
Ключевые слова: матричный фотоприёмник, фотодиод, профиль сканирования, длина диффузии, частотно-контрастная характеристика, функция рассеяния линии (ФРЛ), кадмий-ртуть-теллур (КРТ), моделирование методом Монте-Карло
Страницы: 110-120
Аннотация
Предложен способ оценки объёмной длины диффузии ( Ldif ) фотогенерированных носителей заряда в материале абсорбера фотоприёмных КРТ-матриц, основанный на анализе частотно-контрастной характеристики (ЧКХ) фотоприёмных устройств в нормальном режиме их работы и в режиме работы с пониженным затворным напряжением входных пиксельных транзисторов, когда имеет место многократное переиспускание взаимно наведённых токов соседних фотодиодов (ФД) матрицы. Предложенная математическая модель для ЧКХ КРТ-матриц с перезахватом эмитированных электронов ближайшими пикселями хорошо описывает поведение ЧКХ при переходе ко второму режиму работы, что проиллюстрировано на примере матриц с периодом 30 мкм, размером диодов ~10×10 мкм и толщиной слоя абсорбера 6 мкм. Фигурирующий в модели коэффициент передачи тока инжекции прямосмещённого ФД на соседний пиксель зависит от геометрических параметров матрицы и Ldif и может быть использован для определения последней.
DOI: 10.15372/AUT20230212
EDN: BJKVZG
|
