Золото-индуцированная кристаллизация аморфного нестехиометрического оксида кремния, инициированная наносекундными лазерными импульсами
Ф.А. Самохвалов1,2, Н.И. Смирнов1,2, А.А. Родионов1,2, А.О. Замчий1,2, Е.А. Баранов1, Ю.Г. Шухов2, А.С. Федотов3, С.В. Старинский1,2
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
faddeysamokhvalov@gmail.com
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
n.smirnov3@ya.ru
3Белорусский государственный университет, Минск, Беларуссия
fedotov.alehandro@gmail.com
Ключевые слова: золото-индуцированная кристаллизация, нестехиометрический оксид кремния, лазерный отжиг
Страницы: 381-385
Аннотация
Тонкие пленки поликристаллического кремния имеют широкое применение в полупроводниковой промышленности. Одним из методов получения таких структур на дешевых и легкоплавких подложках является металл-индуцированная кристаллизация, поскольку использование металла (например, золота) как катализатора в процессе кристаллизации аморфного полупроводника позволяет существенно снизить температуру отжига. Однако время металл-индуцированной кристаллизации составляет несколько десятков часов, в отличие от метода лазерно-индуцированной кристаллизации. В настоящей работе впервые предлагается объединить преимущества методов лазерно-индуцированной и золото-индуцированной кристаллизации. Авторами получены режимы лазерной обработки тонких пленок нестехиометрического оксида кремния (a-SiO0,1) с использованием излучения наносекундной длительности с длиной волны инфракрасного диапазона, обеспечивающие формирование поликристаллического кремния.
EDN: LZOPVO
|
