ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В ВИДИМОМ СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ ПЛЁНОК SiO2, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ In+ И As+
И.Е. Тысченко1, Чж. Сы1,2, С.Г. Черкова1, В.П. Попов1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
tys@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
amaoshihaomao@gmail.com
Ключевые слова: ионная имплантация, SiO, InAs, нанокристаллы, фотолюминесценция
Страницы: 59-65
Аннотация
Исследована фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне при комнатной температуре плёнок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в зависимости от энергии ионов As+, температуры последующего отжига и длины волны возбуждающего излучения. Использовались ионы As+ с энергиями 40, 80 или 135 кэВ и ионы In+ с энергией 50 кэВ, при которых соотношение средних проективных пробегов ионов RpAs/RpIn составляло 1, 2 или 3 соответственно. Последующий отжиг проводился при температуре 900 и 1100 °C. Спектры фотолюминесценции возбуждались излучением лазера с длинами волн λ ex = 442 и 473 нм. В спектрах фотолюминесценции при возбуждении с λ ex = 473 нм наблюдался пик 550 нм, энергетическое положение которого смещалось к 520-530 нм при λ ex = 442 нм. Увеличение соотношения RpAs/RpIn сопровождалось уменьшением интенсивности фотолюминесценции, а также изменением соотношения интенсивности пиков в зависимости от температуры отжига. Наблюдаемый эффект обсуждается с точки зрения рекомбинации электронов и дырок в нанокристаллах InAs.
DOI: 10.15372/AUT20240106 |
