УРАВНЕНИЕ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ ДЛЯ СТРУКТУРЫ ПОДЛОЖКА - ОДНООСНАЯ АНИЗОТРОПНАЯ ПЛЁНКА С ОПТИЧЕСКОЙ ОСЬЮ В ПЛОСКОСТИ ПАДЕНИЯ
В.А. Швец, И.А. Азаров, Е.В. Спесивцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия basil5353@mail.ru
Ключевые слова: оптическая анизотропия, эллипсометрия, одноосный кристалл
Страницы: 32-40
Аннотация
Представлено решение прямой задачи эллипсометрии для однослойной модели изотропная подложка - анизотропная плёнка в случае ориентации оптической оси плёнки в плоскости падения. Получены аналитические выражения для расчёта эллипсометрических параметров такой структуры. Предложен простой численный алгоритм определения обыкновенного ( no ) и необыкновенного ( ne ) показателей преломления объёмного кристалла при различных условиях измерения. Рассматривается обратная задача определения no , ne и толщины плёнки d при изменении азимута оптической оси. Обсуждается проблема корреляции искомых параметров для такой задачи.
DOI: 10.15372/AUT20240303 |