Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.236.138.35
    [SESS_TIME] => 1675782149
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => b8f541fa8dbae3a4b4063dc1078b543a
    [UNIQUE_KEY] => 2c54fa2288163d9adeb80e9a33ddb552
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2000 год, номер 1-2

Новый взгляд на природу электронных уровней в аморфном нитриде кремния.

В. И. Белый, А. А. Расторгуев
Институт неорганической химии СО РАН,
пр-т Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия)

Аннотация

Изложены новые представления о природе глубоких и мелких уровней в аморфном нитриде кремния (-Si3N4), который в виде тонких слоев широко используется в микроэлектронике и солнечной энергетике. Построена самосогласованная диаграмма электронных уровней дефектов в запрещенной зоне нитрида кремния. Предложена непротиворечивая модель, описывающая механизм записи и стирания информации в интегральных ПЗУ на основе структур металл – нитрид – оксид – полупроводник. В качестве глубоких электронных ловушек предлагается рассматривать катион-радикалы кремния, связанные в матрице -Si3N4с тремя атомами азота и располагающиеся на 1.6 эВ ниже дна зоны проводимости, а в качестве глубоких ловушек для дырок – анион-радикалы кремния, расположенные на 1.8 эВ выше потолка валентной зоны. При таком подходе удается устранить противоречия, существующие между результатами исследования электрофизических и парамагнитных свойств -Si3N4. На основе диаграммы электронных уровней и электронно-колебательных переходов, наблюдаемых в спектрах люминесценции и спектрах возбуждения люминесценции нитрида кремния, появляется возможность рассматривать механизм фотопревращений в -Si3N4при воздействии УФ-облучения, например явления “усталости” фотолюминесценции (снижения ее интенсивности). Выдвинута гипотеза о природе мелких электронных ловушек у дна зоны проводимости -Si3N4.