Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.234.246.109
    [SESS_TIME] => 1711708995
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 0c151ca1c429e948ff53cde2388d0d07
    [UNIQUE_KEY] => 98daef60e7c42b48aa553059ae5aa283
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2000 год, номер 1-2

Принципы дизайна неорганических ацентричных материалов.

Б. И. Кидяров, В. И. Косяков*
Институт физики полупроводников СО РАН,
пр-т Акад. Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия)
*Институт неорганической химии СО РАН,
пр-т Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия)

Аннотация

Рассмотрены основные принципы химического дизайна, включающего поиск новых оксидных кристаллов с высокими пьезоэлектрическими свойствами. Составлена сводка и проведен системный анализ этих свойств для простых, бинарных и тернарных оксидных кристаллов на основе ключевого критерия: совокупности длин химических связей для каждого компонента оксидного соединения. Предложена феноменологическая модель поиска и классификации эффективных ацентричных материалов диэлектроники.