Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.218.247.159
    [SESS_TIME] => 1711715506
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => a37c6622bd46d64434d0b9003b48b94d
    [UNIQUE_KEY] => 20516c82e423796517502d11fe3c65bf
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2003 год, номер 5

Моделирование спектра излучения молекулы SiH (A2О” в†’ X2О ) и измерение вращательной температуры состояния A2О” в электронно- пучковой плазме

Е. А. Баранов, С. Я. Хмель
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, 630090 Новосибирск
Страницы: 3-11

Аннотация

Выполнено численное моделирование эмиссионного спектра полосы 0–0 перехода A2Δ → X2Π молекулы SiH. Полученные результаты хорошо согласуются с известными расчетными и экспериментальными данными. Путем сравнения расчетного и экспериментального спектров определена вращательная температура состояния A2Δ молекулы SiH в свободной струе чистого моносилана (SiH4) и смеси с гелием (He+SiH4), активированной электронным пучком. Подтверждено предположение о том, что излучение молекулы SiH возникает в результате диссоциативного возбуждения SiH4 электронным ударом. Приведены значения вращательной температуры при различных концентрациях моносилана и расстояниях от сопла. В полученных спектрах зарегистрировано излучение иона кремния с длинами волн 412,807; 413,089 нм.