ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ КРЕМНИЯ, С ПОМОЩЬЮ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
В. А. Швец, В. Ю. Прокопьев, С. И. Чикичев, Н. А. Аульченко
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail:shvets@isp.nsc.ru
Страницы: 71-80
Аннотация
Путем численного моделирования рассмотрена задача определения дозы облучения и энергии ионов при исследовании диэлектрических слоев SiO2, имплантированных ионами Si+, методом спектральной эллипсометрии. Для решения поставленной задачи использовались одно-, двух- и трехслойные модели. Установлено, что для определения указанных характеристик имплантированных слоев, а также толщины диэлектрического слоя достаточно использовать двух- или трехслойное приближение. Дальнейшее усложнение модели не приводит к повышению точности, но усложняет процедуру поиска минимума целевой функции.
|
