Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.233.242.67
    [SESS_TIME] => 1713781241
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 69f7052acd44854c8f37dede5458dde6
    [UNIQUE_KEY] => 2104053cd0e97fec8202b17b72e9df62
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ GaAs/AlGaAs

А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
caches@ngs.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: моделирование, гетероструктуры, полевой транзистор Шоттки
Страницы: 66-71

Аннотация

Проведена оптимизация параметров структуры, состоящей из легированного GaAs-канала и AlGaAs-буфера, расположенного между подложкой и каналом, с помощью пакета программно-технологического моделирования Sentaurus TCAD, разработанного фирмой "Synopsys". Показано, что введение этого буфера увеличивает пробивное напряжение и мощность транзистора по сравнению с транзистором на базовой структуре без AlGaAs-буфера. Также показано, что в наибольшей степени на пробивное напряжение транзистора оказывает влияние состав буфера (доля алюминия в твердом растворе AlxGa1-xAs) и что для получения максимального пробивного напряжения буфер должен содержать не менее 18 % алюминия.