Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.128.205.109
    [SESS_TIME] => 1713436120
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => aeab210de845adff20e585559be2f5df
    [UNIQUE_KEY] => a7ba2d5dee094340e478b252ff2ea558
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2012 год, номер 5

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ ФЕНИЛСИЛАНОВ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ЭМИССИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ И КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТОВ

Т. Н. Даниленко, М. М. Татевосян, В. Г. Власенко
Научно-исследовательский институт физики Южного Федерального университета
danilenko@sfedu.ru
Ключевые слова: электронное строение, фенилсиланы, рентгеновская эмиссионная спектроскопия, теория функционала плотности
Страницы: 896-903

Аннотация

Проведено исследование электронного строения ряда фенилсиланов Ph4-nSiHn (n = 0-3) методами рентгеновской эмиссионной спектроскопии и квантово-химических расчетов в приближении теории функционала плотности. На основе расчетов построены теоретические рентгеновские эмиссионные SiKβ1-спектры фенилсиланов Ph4-nSiHn (n = 0-4), энергетическая структура и форма которых оказались в хорошем согласии с экспериментом. Также построены распределения плотностей электронных состояний различной симметрии атомов Si, C, H. Анализ полученных рентгеновских флуоресцентных SiKβ1-спектров и распределения плотностей электронных состояний в соединениях Ph4Si и Ph3SiH показал, что их энергетическая структура в основном определяется системой энергетических уровней фенильных лигандов, слабо возмущенных взаимодействиями с валентными АО кремния. В энергетической структуре МО соединения PhSiH3 преимущественным образом представлены орбитали энергетически связанные с t2- и a1-уровнями тетраэдрического SiH4.
Скачать pdf-версию статьи