Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.97.9.169
    [SESS_TIME] => 1733404290
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => b505bc36958ce68b88773ebb9eb51c74
    [UNIQUE_KEY] => f7658eaee0dd6eecf1c39ba4688208d2
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 1

МИКРОПУЧКОВЫЙ РЕНТГЕНОЛИТОГРАФ ДЛЯ ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ГЛУБОКИХ LIGA-СТРУКТУР

Б.Г. Гольденберг, Е.Ф. Резникова, А.Г. Лемзяков, В.Ф. Пиндюрин
Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
goldenberg@inp.nsk.su
Ключевые слова: синхротронное излучение, рентгенолитография, LIGA-технология
Страницы: 96-102

Аннотация

На станции LIGA на накопителе ВЭПП-3 Сибирского центра синхротронного и терагерцового излучения реализован режим работы микропучкового рентгенолитографа – нового устройства для прямого формирования микроструктур в толстых слоях рентгенорезистов, в том числе для изготовления рентгеношаблонов. С использованием специального программного обеспечения коллимированным пучком синхротронного излучения при перемещении подложки векторным образом непосредственно в слое негативного резиста SU-8 толщиной до 1 мм формируется рисунок микроструктуры с произвольно заданной топологией. Представлено описание устройства установки, её технологические возможности и ограничения. Приведены примеры изготовленных микроструктур с высоким аспектным отношением и рентгеношаблонов