Влияние присадки цезия на формирование инверсных
заселенностей в рекомбинирующей литиевой плазме
С. П. Богачева, Л. В. Воронюк, И. П. Запесочный,
В. П. Стародуб, А. М. Федорченко
Киев
Страницы: 10-15
Аннотация
Проведен численный анализ изменения во времени заселенностей уровней лития в рекомбинирующей Li – Cs-плазме. Учтено влияние легкоионизирующейся присадки цезия на заселенности уровней атомов лития как вследствие изменения основных параметров плазмы Ne и Те, так и в результате реакций неупругих атомных соударений. Показано, что при введении присадки цезия оптимальной концентрации величина инверсной заселенности и коэффициент усиления для перехода 3s → 2p в литии повышаются на 1–2 порядка и достигают значений (κ ∼ 0,1 см-1), достаточных для реализации Li – Cs-лазера на этом переходе.
|
