Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.201.199.251
    [SESS_TIME] => 1711699885
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7a4b656daa15a437707a43bfcda371e2
    [UNIQUE_KEY] => fb0cbc5db6e9b2a07f53b7f4703d4d48
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 3

МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ДИФРАКЦИОННЫЕ РЕШЁТКИ: ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ

Э.Г. Косцов, И.В. Князев
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
kostsov@iae.nsk.su
Ключевые слова: МЭМС, дифракционные решётки, электростатика, сегнетоэлектрик
Страницы: 71-88
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Рассматриваются конструкции и особенности функционирования микрооптоэлектромеханических систем, микрозеркальных устройств и дифракционных решёток, управляемых электрическим полем. Описываются элементы микроэлектромеханических дифракционных решёток, а также ряд прикладных задач, которые решаются с их помощью. Предлагается новый элемент микроэлектромеханической дифракционной решётки, основанный на использовании в межэлектродном зазоре диэлектрических материалов с высоким значением диэлектрической проницаемости. Такой элемент по сравнению с известными аналогами обладает более низким управляющим напряжением, более высокой тактовой частотой и технологичностью. Проводится сравнение характеристик нового элемента и известных аналогов.