Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 34.204.174.110
    [SESS_TIME] => 1653207700
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 86b4012707d40299d5c4c92ac0e52625
    [UNIQUE_KEY] => d1aa222f4a654629a9c8ee460139412f
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2013 год, номер 4

Электронно-энергетическая структура GaN при замещении атомов галлия атомами титана или цинка

А.О. Литинский, С.И. Новиков, Д.С. Попов
Волгоградский государственный технический университет, просп. Университетский, 100, Волгоград, 400066
novikov_s@bk.ru
Ключевые слова: энергетический спектр электронов, DFT-расчеты, гексагональный нитрид галлия, структуры Ti/GaN и Zn/GaN, разбавленные магнитные полупроводники
Страницы: 615-622
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ

Аннотация

Расчетная схема на основе теории функционала плотности с полной оптимизацией геометрии, модифицированная на случай структур с трансляционной симметрией, применена к исследованию энергетического спектра электронов и магнитных характеристик гексагонального нитрида галлия и структур YxGa1–xN (Y: донорная (Ti) или акцепторная (Zn) примесь). Обсуждена зависимость от концентрации допантов релаксационных смещений внедренных атомов, положения уровня химического потенциала, границ энергетических зон, ширины валентных зон и энергий, отвечающих внутризонным максимумам плотности состояний.