Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.133.109.211
    [SESS_TIME] => 1713489645
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 68e224ccf78ea1a158e7bf2bb82a90a4
    [UNIQUE_KEY] => 0245263a0310ad86d4c4292703e4e002
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

ЭЛЕКТРОН–ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СВЕРХРЕШЁТКАХ GaAs/AlAs

В.А. Володин1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
volodin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: фононы, плазмоны, локализация, комбинационное рассеяние света
Страницы: 68-73
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация

С применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света исследовано взаимодействие фононов и свободных носителей заряда в легированных полупроводниковых наноструктурах (сверхрешётках). В легированных сверхрешётках на основе полярных полупроводников коллективные колебательные моды свободных носителей заряда (плазмоны) экранируют дальнодействующее кулоновское взаимодействие катионов и анионов, что приводит к образованию смешанных фонон-плазмонных мод. Исследована угловая дисперсия (анизотропия) фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs. Наблюдаемая анизотропия обусловлена анизотропией диэлектрической проницаемости в сверхрешётках.
Скачать pdf-версию статьи