АНАЛИЗ СВЧ–ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin–ДИОДАХ AlGaAs/GaAs
А.К. Шестаков, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13 shestakov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: pin-диод, СВЧ, вносимые потери
Страницы: 74-81 Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ
Аннотация
С помощью численного моделирования исследована зависимость величины вносимых СВЧ–потерь от параметров структуры гетеростуктурного pin–диода. Определены механизмы возникновения этих потерь и выявлен механизм, оказывающий на потери наибольшее влияние.
|