Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.230.154.90
    [SESS_TIME] => 1716103518
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 03d89bd2b9d7f37f472e551b3b2e4058
    [UNIQUE_KEY] => e1840ec3fe30f671f64bfa2e66814063
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 4

ЭФФЕКТ ФОРМИРОВАНИЯ И ЗАПОЛНЕНИЯ ИНДИЕМ КАНАВОК В САПФИРЕ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

А.Р. Новоселов1, А.Г. Клименко2
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, ул. Николаева, 8
novoselov@oesd.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
klimenko@isp.nsc.ru
Ключевые слова: индий, сапфир, лазерное излучение
Страницы: 102-106
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация

В едином технологическом процессе под действием лазерных импульсов формируется канавка на нижней поверхности сапфира с нанесённым слоем индия, который заполняет канавку по мере её образования. Использован импульсный газовый лазер с длиной волны 0,337 мкм. Лазерный луч фокусировали сквозь сапфир на поверхность, покрытую индием. Скорость перемещения сапфира была равномерной, смещение сапфира за время между двумя импульсами составляло 10 % диаметра светового пятна. Для формирования канавки использовался режим сканирования (многократный проход лазерного излучения по канавке). Плотность энергии в импульсе за один проход была достаточно большой. Процесс проводился на воздухе. Выявлено, что оптимальными являются два прохода, когда удельное сопротивление индия в канавке лишь в 3,8 раза превышает удельное сопротивление чистого (99,999 %) брускового индия.