Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.230.154.90
    [SESS_TIME] => 1716108864
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 97d64663832728a7614bbcc2a274a77b
    [UNIQUE_KEY] => 66c3c632bf05a398be394d5be3db9970
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 4

ОПТИМИЗАЦИЯ СТРУКТУРЫ ТРЁХПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА GaInP/GaAs/Ge СО ВСТРОЕННЫМ БРЭГГОВСКИМ ОТРАЖАТЕЛЕМ Al0,1Ga0,9As/Al0,8Ga0,2As

А.Ф. Скачков
Открытое акционерное общество «Сатурн», 350040, г. Краснодар, ул. Солнечная, 6
afskachkov@mail.ru
Ключевые слова: солнечные элементы, брэгговский отражатель, радиационная стойкость
Страницы: 122-126
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация

Проведена оптимизация структуры трёхпереходного солнечного элемента (СЭ) GaInP/GaAs/Ge со встроенным брэгговским отражателем (БО), в результате которой были снижены потери прошедшего (отражённого) излучения в слоях туннельного диода. Получена оптимизированная структура СЭ с БО методом МОС–гидридной эпитаксии. Изготовлены образцы фотопреобразователей размером 20 × 30 мм. Проведены испытания образцов СЭ с БО и без БО при воздействии потоков электронов с энергией 1 МэВ. Показано, что введением брэгговского отражателя в структуру солнечного элемента и уменьшением толщины базы среднего pn-перехода можно увеличить радиационную стойкость СЭ.