Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.213.75.78
    [SESS_TIME] => 1711629152
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => d57eccfb541e778a47fdf738d5e6e51a
    [UNIQUE_KEY] => b332615035a7f31a483483ee6e523891
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2015 год, номер 4

МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПЛЁНКИ И ПОДЛОЖКИ

А.С. Паршин1, С.А. Кущенков1, О.П. Пчеляков2, Ю.Л. Михлин3
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнёва, 660014, г. Красноярск, просп. им. газеты «Красноярский рабочий», 31
aparshin@sibsau.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
pch@isp.nsc.ru
3Институт химии и химической технологии СО РАН, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 24
yumikh@icct.ru
Ключевые слова: электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния отражённых электронов, длина свободного пробега электрона, electron spectroscopy, cross section of inelastic scattering of reflected electrons, mean free path of an electron
Страницы: 114-120
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ

Аннотация

Представлена методика моделирования сечения неупругого рассеяния электронов в слоистых структурах из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов компонентов структур на основе теоретической модели Юберо - Тоугаарда сечения неупругого рассеяния в однородной среде и её обобщения на случай слоистых структур. Методика апробирована на примере исследования спектров сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре SiO2/Si.