Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.91.19.28
    [SESS_TIME] => 1711670837
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 5a9e6e7881b4bb56d5108721156b443b
    [UNIQUE_KEY] => b035133a38d7be3e234610fdfb025329
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 3

ЗАРОЖДЕНИЕ ДВУМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ Si ВБЛИЗИ МОНОАТОМНОЙ СТУПЕНИ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)- (7 x 7)

Д.И. Рогило1, Н.Е. Рыбин1,2, С.С. Косолобов1, Л.И. Федина1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
rogilo@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
n.seryh@gmail.com
Ключевые слова: кремний, эпитаксиальный рост, двумерные островки, атомные ступени, критический зародыш, поверхностная диффузия, отражательная электронная микроскопия, silicon, epitaxial growth, two-dimensional islands, atomic steps, critical nucleus, surface diffusion, reflection electron microscopy
Страницы: 86-92
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения 2D -островков вблизи моноатомной ступени на начальной стадии роста Si на поверхности Si(111)-(7 x 7). Зависимость ширины зоны обеднения W вблизи ступени, где островки не зарождаются, от скорости осаждения R подчиняется соотношению W2 ∞ R с показателем χ = 1,18 и χ = 0,63 при температурах 650 и 680°C соответственно. Показано, что изменение χ связано со структурой ступени, обеспечивающей смену кинетики роста от лимитированной встраиванием адатомов в ступень к лимитированной их диффузией. Конкуренция процессов зарождения и стока в ступень приводит к увеличению размера критического зародыша частицы от i = 1 вдали от ступени до i = 3-5 вблизи неё и i = 6-8 на террасе критической ширины для 2D-зарождения.

DOI: 10.15372/AUT20160311