Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.192.52.167
    [SESS_TIME] => 1669624924
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 8cee50dff5269bd8e7a0eac95d2fd0da
    [UNIQUE_KEY] => 274e9c73d8cc4b9ebfe234ceb577c383
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 5

МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МДП-СТРУКТУР НА Ge

Е.Б. Горохов, К.Н. Астанкова
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
gorokhov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: Ge-планарная технология, МДП-транзистор, подзатворный диэлектрик модификация окислов германия, диоксида кремния, нитрида кремния, нитрида германия, Ge planar technology, MIS transistor gate insulator, germanium oxide modification, silicon dioxide, silicon nitride, germanium nitride
Страницы: 14-20
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

На основе материаловедческих исследований композиций диэлектрических слоёв разработан новый технологический маршрут изготовления МДП-транзистора на Ge. Применив процесс gate-first и модифицированную прослойку термического GeO2 с повышенной вязкостью на границе раздела с Ge-подложкой, удалось закапсулировать в ней нежелательные примеси. Увеличение плотности окисного слоя вблизи германия после взаимодействия с осаждённой плёнкой Si3N4 препятствовало диффузии в канал транзистора адсорбированных поверхностью подложки примесей. Это позволило повысить подвижность электронов в МДП-транзисторе и исключить её снижение при криогенных температурах.

DOI: 10.15372/AUT20160502