Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.231.55.243
    [SESS_TIME] => 1711690617
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 596af433084e1ebd9151278accd185e0
    [UNIQUE_KEY] => 6366b92023aeaf9f87f71e78535059b4
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 5

ТРЁХСПЕКТРАЛЬНОЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЁМНОЕ УСТРОЙСТВО

И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
neizv@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, гетеропереход, p-n-переход, чувствительный элемент, линейка фотоприёмников, многоэлементное фотоприёмное устройство, molecular beam epitaxy, heterojunction, p-n junction, detector, photodetector line, multielement photodetector
Страницы: 37-43
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация

Описаны конструкция и характеристики трёхспектрального многоэлементного фотоприёмного устройства с диапазоном чувствительности 0,6-12,0 мкм, состоящего из трёх линеек фотоприёмников с чувствительностью в областях 0,6-0,9, 3-5 и 8-12 мкм. Приведены методы изготовления линеек, фотоприёмного устройства в целом и его фотоэлектрические характеристики.

DOI: 10.15372/AUT20160506