РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ АДАТОМОВ НА ЭКСТРАШИРОКОЙ ТЕРРАСЕ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В УСЛОВИЯХ СУБЛИМАЦИИ
Д.И. Рогило1, Н.Е. Рыбин1,2, Л.И. Федина1,2, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
rogilo@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
n.seryh@gmail.com
Ключевые слова: кремний, поверхностная диффузия, сверхструктура, атомные ступени, отражательная электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, silicon, surface diffusion, superstructure, atomic steps, reflection electron microscopy, atomic force microscopy
Страницы: 103-110
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии исследован процесс формирования адсорбционного слоя на поверхности Si(111) в условиях сублимации при температурах 1000-1100 °C и последующей закалки до T = 750 °C. Впервые получено распределение концентрации адатомов на экстраширокой 60 мкм) атомно-гладкой террасе и определена их диффузионная длина xs = 31 ± 2 мкм при T = 1000 °C. В результате анализа температурной зависимости равновесной концентрации адатомов вблизи моноатомной ступени впервые измерена энергия выхода адатома из ступени на террасу Ead ≈ 0,68 эВ. На основе данных величин получены оценки энергетических параметров для ряда атомных процессов на поверхности Si(111).
DOI: 10.15372/AUT20160512 |
