Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.118.9.146
    [SESS_TIME] => 1713584956
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9754daa0e74655534b58b83d75a7cce3
    [UNIQUE_KEY] => e0b6f446059b560f07d99da4fc5cd5f1
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2017 год, номер 2

О ТРАНСПОРТЕ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ ОКСИДОВ ГАФНИЯ И ЦИРКОНИЯ

Д.Р. Исламов1,2, В.А. Гриценко1,2, Ч. Альберт3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
damir@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Россия, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
grits@isp.nsc.ru
3National Chiao Tung University, University Road 1001, Hsinchu, 300, Taiwan ROC
albert_achin@hotmail.com
Ключевые слова: аморфные плёнки, диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, оксид гафния, оксид циркония, транспорт, amorphous films, dielectric with high dielectric permittivity, hafnium oxide, zirconium oxide, transport
Страницы: 102-108
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Исследован механизм транспорта заряда в МДП-структурах на основе тонких плёнок оксидов гафния и циркония. Показано, что в изучаемых материалах транспорт лимитируется фонон-облегчённым туннелированием между ловушками. Из сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик МДП-структур n -Si/HfO2/Ni и n -Si/ZrO2/Ni с рассчитанными определены термическая и оптическая энергии ловушек. Продемонстрировано, что вакансии кислорода являются центрами локализации (ловушками) носителей заряда в HfO2 и ZrO2.

DOI: 10.15372/AUT20170212
Скачать pdf-версию статьи