Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.192.25.113
    [SESS_TIME] => 1653190386
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 6c38abe3704b1117d4be8c6f9abcf95e
    [UNIQUE_KEY] => c3205a6bb8b80630b6a32bcaa4390efa
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Теплофизика и аэромеханика

2017 год, номер 5

Численное моделирование пленочного охлаждения плоской поверхности при подаче охладителя в углубления различной формы

А.А. Халатов1,2, Н.А. Панченко1,2, С.Д. Северин1
1Институт технической теплофизики НАН Украины, Киев, Украина
artem.khalatov@vortex.org.ua
2Киевский политехнический институт им. Игоря Сикорского, Киев, Украина
Ключевые слова: пленочное охлаждение, эффективность пленочного охлаждения, поверхностные углубления, траншея
Страницы: 751-757

Аннотация

Представлены результаты компьютерного моделирования пленочного охлаждения плоской поверхности для различных схем пленочного охлаждения с подачей охладителя в поверхностные углубления различной формы. Расчеты выполнены в диапазоне изменения параметра вдува от 0,5 до 2,0, для сравнения использованы данные для традиционной схемы с одним рядом дискретных цилиндрических наклонных отверстий. При малых значениях параметра вдува ( m = 0,5) средняя эффективность пленочного охлаждения практически одинакова для всех исследованных схем. С увеличением параметра вдува наибольшую эффективность демонстрирует схема пленочного охлаждения с подачей охладителя в поперечную траншею.