Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.222.104.49
    [SESS_TIME] => 1711654574
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e0f47a4824d1ce170339a6b389d02d58
    [UNIQUE_KEY] => 3da809cc1d037032dc3464aabaff2910
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2018 год, номер 2

1.
ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В МИКРООПТИКЕ. Ч. II. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ С ТРЁХМЕРНЫМ МИКРОРЕЛЬЕФОМ

А.Г. Полещук1, В.П. Корольков1, В.П. Вейко1,2, Р.А. Заколдаев2, М.М. Сергеев2
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
poleshuk.a.g.@mail.ru
2Hациональный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский просп., 49
VadimVeiko@mail.ru
Ключевые слова: микрооптика, прямая лазерная запись, полутоновая фотолитография, фоторастровый метод, микроплазма, micro-optics, direct laser writing, halftone photolithography, scanning method, microplasma
Страницы: 3-19
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация >>
Представлен обзор исследований, выполненных в области разработки процессов формирования 3D -микрорельефа оптических элементов с применением как прямого лазерного воздействия на различных длинах волн, так и фотолитографических технологий на основе фотошаблонов, изготовленных путём лазерной записи. Рассмотрены типовые характеристики рельефа, ограничения и преимущества, свойственные представленным методам.

DOI: 10.15372/AUT20180201


2.
ФОРМИРОВАНИЕ ТОЛСТЫХ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ МАСОК МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ

А.Н. Генцелев1, Ф.Н. Дульцев2,3, В.И. Кондратьев1, А.Г. Лемзяков1
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкеpа СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
ang1209@mail.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
fdultsev@isp.nsc.ru
3Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: глубокая контактная фотолитография, установка контактной фотолитографии, резист SU-8, LIGA-шаблон, микрорельеф штампа или литьевой формы, deep contact photolithography, contact photolithography setup, SU-8 resist, LIGA template, stamp or cast mould microrelief
Страницы: 20-29
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация >>
Описан способ формирования толстых (100 мкм и более) резистивных масок, которые могут быть использованы для решения широкого диапазона технологических задач, например для изготовления рентгенопоглощающего топологического рисунка LIGA-шаблонов, микрорельефов штампов, литьевых форм и т. п. Представлены особенности метода контактной фотолитографии, на основе которого разработана и изготовлена установка. Источником её экспонирующего излучения является светодиод. Экспериментально продемонстрирована возможность получения отдельно стоящих элементов резистивной маски (в частности, с латеральными размерами 5 мкм и высотой 70 мкм, аспектное отношение 14), а также микрорельефа (высотой 40 мкм) титанового штампа, выполненного путём реактивного ионно-лучевого травления через резистивную маску.

DOI: 10.15372/AUT20180202


3.
РЕГИСТРАЦИЯ РЕФЛЕКСОВ ВЫСОКИХ ПОРЯДКОВ В ОБЪЁМНЫХ ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ ГОЛОГРАФИЧЕСКИХ РЕШЁТКАХ

Е.Ф. Пен1,2
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
pen@iae.nsk.su
2Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
Ключевые слова: объёмные голограммы, брэгговская дифракция, отражательные решётки, фотополимеры, volume holograms, Bragg diffraction, reflection gratings, photopolymers
Страницы: 30-34
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация >>
Экспериментально зарегистрированы рефлексы высоких порядков в объёмных отражательных голографических решётках в фотополимерном материале.

DOI: 10.15372/AUT20180203


4.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ДИФРАКЦИОННОЙ КАРТИНЫ СИНТЕЗИРОВАННЫХ ГОЛОГРАММ В ШИРОКОМ УГЛОВОМ ДИАПАЗОНЕ

Д.А. Белоусов, А.Г. Полещук, В.Н. Хомутов
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
d.a.belousov91@gmail.com
Ключевые слова: дифракционная оптика, синтезированные голограммы, компьютерная оптика, обработка изображений, измерительные системы, diffraction optics, synthesized holograms, computer optics, image processing, measurement systems
Страницы: 35-42
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация >>
Представлены результаты разработки и исследования устройства для регистрации и анализа дифракционной картины синтезированных голограмм. Показано, что устройство позволяет регистрировать дифракционную картину излучения, отражённого от поверхностного микрорельефа исследуемого элемента или прошедшего через него, в угловом диапазоне дифракции порядка ±90º и 360º по азимутальному углу. Описана возможность определения периодов, скважности и угловой ориентации дифракционных структур, а также дифракционной эффективности всех дифракционных порядков исследуемого элемента. Разработанное устройство предназначено для оперативного контроля глубины и формы микрорельефа синтезированных голограмм в процессе производства.

DOI: 10.15372/AUT20180204


5.
АЛГОРИТМЫ ОЦЕНКИ ИНФОРМАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ СИГНАЛА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ШИРОКОПОЛОСНЫХ НЕГАУССОВСКИХ ПОМЕХ

В.М. Артюшенко1, В.И. Воловач2
1Технологический университет, 141070, г. Королёв Московской обл., ул. Гагарина, 42
artuschenko@mail.ru
2Поволжский государственный университет сервиса, 445017, г. Тольятти, ул. Гагарина, 4
volovach.vi@mail.ru
Ключевые слова: блок нелинейного преобразования, эффективность нелинейной обработки, амплитудная и фазовая характеристики дискриминатора, отношение сигнал/помеха, nonlinear transformation block, nonlinear processing efficiency, amplitude and phase characteristics of the discriminator, signal/noise ratio
Страницы: 43-53
Подраздел: АНАЛИЗ И СИНТЕЗ СИГНАЛОВ И ИЗОБРАЖЕНИЙ

Аннотация >>
Рассмотрен синтез алгоритмов оценки информационных параметров сигнала с безынерционным нелинейным преобразованием входной смеси сигнала и широкополосных негауссовских помех. Проанализированы оптимальные в области малых расстроек и квазиоптимальные алгоритмы, способные работать при произвольных расстройках между измеряемыми параметрами и их оценками при случайном отношении сигнал/помеха на входе измерителя. Получены основные расчётные соотношения, позволяющие определить вид оптимальных амплитудных характеристик блока нелинейного преобразования, качество подавления аддитивной помехи в названном блоке с оптимальной и произвольной амплитудной характеристикой, крутизну дискриминационной характеристики и значение фазовой характеристики в области малых расстроек. Показано, что, задав тип воздействия и передаточную функцию сглаживающей цепи, можно определить установившиеся динамические и флуктуационные ошибки в замкнутой следящей системе.

DOI: 10.15372/AUT20180205


6.
МОДЕЛЬ НЕЛИНЕЙНОГО ФИЛЬТРА ДЛЯ ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ КОНТРАСТНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ

В.А. Сурин1, А.Н. Тырсин1,2
1Южно-Уральский государственный университет, 454080, г. Челябинск, просп. Ленина, 76
sva13t@yandex.ru
2Научно-инженерный центр «Надёжность и ресурс больших систем и машин» УрО РАН, 620049, г. Екатеринбург, ул. Студенческая, 54а
at2001@yandex.ru
Ключевые слова: контрастное изображение, цифровая фильтрация, модель, апертура, обобщённый метод наименьших модулей, contrast image, digital filtering, model, aperture, generalized method of least modules
Страницы: 54-62
Подраздел: АНАЛИЗ И СИНТЕЗ СИГНАЛОВ И ИЗОБРАЖЕНИЙ

Аннотация >>
Предложена модель цифровой фильтрации зашумлённых контрастных изображений с минимальным размытием яркости на границе перепада, которая основана на сглаживании цифрового изображения с помощью обобщённого метода наименьших модулей. Модель предполагает варьирование двумя параметрами функции потерь в зависимости от степени контрастности и уровня шума. Результаты основаны на обширных вычислительных экспериментах, выполненных методом статистических испытаний Монте-Карло.

DOI: 10.15372/AUT20180206


7.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА ВАРИАЦИОННОЙ ПРОЦЕДУРЫ ПОСТРОЕНИЯ МНОГОМЕРНЫХ РАДИОИЗОБРАЖЕНИЙ ЭХО-СИГНАЛОВ В НЕИЗЛУЧАЮЩИХ РАДАРАХ

И.В. Донец1,2, Я.А. Рейзенкинд3,4, В.Н. Шевченко3
1АО «Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент"», 344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Большая Садовая, 105/42
ivdonets@rambler.ru
2Южный федеральный университет
3АО «Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент"», 344010, г. Ростов-на-Дону, просп. Соколова, 96
jar@ip.rsu.ru
4Южный федеральный университет, 344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Большая Садовая, 105/42
Ключевые слова: скрытная радиолокация, совмещённое обнаружение и локализация эхо-сигналов, радиоизображение, stealth radar, combined detection and localization of echoes, radio image
Страницы: 63-69
Подраздел: АНАЛИЗ И СИНТЕЗ СИГНАЛОВ И ИЗОБРАЖЕНИЙ

Аннотация >>
Представлены результаты экспериментальной апробации вычислительно-эффективной процедуры построения многомерных (в координатах «угловое направление - задержка - доплеровский сдвиг частоты») радиоизображений эхо-сигналов целей вариационным методом в комплексах радиолокации с посторонним подсветом.

DOI: 10.15372/AUT20180207


8.
СПЕКТРОСКОПИЯ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК AlInAs

И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, В.А. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
derebezov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, экситон, биэкситон, тонкая структура экситонных состояний, субпуассоновская статистика, излучатели одиночных фотонов, излучатели фотонных пар, запутанных по поляризации, semiconductor quantum dots, exciton, biexciton, thin structure of exciton states, sub-Poisson statistics, single photon emitters, polarization-entangled photon pair emitters
Страницы: 70-77
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация >>
На основе твёрдых растворов AlxIn1–xAs/AlyGa1–yAs исследована система квантовых точек. Применение широкозонных твёрдых растворов AlxIn1–xAs в качестве основы квантовых точек позволяет существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Методом криогенной микрофотолюминесценции изучены оптические характеристики одиночных квантовых точек AlxIn1–xAs, выращенных по механизму Странского—Крастанова. С использованием интерферометра Хэнбери Брауна—Твисса изучена статистика излучения экситонных состояний одиночных квантовых точек. Функция парных фотонных корреляций отчётливо демонстрирует субпуассоновский характер статистики излучения, что является прямым подтверждением возможности создания излучателей одиночных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1–xAs. На участке длин волн вблизи 770 нм исследована тонкая структура экситонных состояний квантовых точек. Показана величина расщепления экситонных состояний, сравнимых с естественной шириной экситонных линий, что представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1–xAs.

DOI: 10.15372/AUT20180208


9.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЬЕЗООПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДЛЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ДЕФОРМАЦИИ

А.Г. Паулиш1, П.С. Загубисало1, В.Н. Бараков2, М.А. Павлов2
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 2/1
paulish63@ngs.ru
2ООО «Фирма ПОДИЙ», 107084, Москва, ул. Мясницкая, 47
drakosha07@bk.ru
Ключевые слова: измерение деформации, датчики деформации, пьезооптический преобразователь, метод фотоупругости, оптические методы исследования напряжённых состояний, strain measurement, strain gauges, piezooptic transducer, photoelasticity method, optical methods for studying stress states
Страницы: 78-84
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация >>
Исследованы характеристики пьезооптического преобразователя новой конструкции, обладающего при малых габаритах высокой чувствительностью к деформации. Благодаря оригинальной форме фотоупругого элемента удалось при заданной внешней силе существенно увеличить напряжение в его рабочей области, тем самым повысив чувствительность преобразователя. С помощью специально созданного устройства измерены основные характеристики преобразователя. Созданная его математическая модель позволила рассчитать величину деформации при заданной приложенной силе. В итоге чувствительность к относительной деформации составила Δx/x = 3 x 10-10, динамический диапазон более четырёх порядков, а коэффициент тензочувствительности на три порядка выше, чем для тензорезисторных датчиков деформации.

DOI: 10.15372/AUT20180209


10.
ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GaAs НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GaAs/Si

Д.С. Абрамкин1,2, М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, А.В. Васев1, М.Ю. Есин1, И.Д. Лошкарев1, А.К. Гутаковский1,2, В.В. Преображенский1, Т.С. Шамирзаев1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
demid@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Новосибирск, ул. Пирогова, 2
gut@isp.nsc.ru
3Уральский федеральный университет, 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19
tim@isp.nsc.ru
Ключевые слова: эпитаксия, низкотемпературный GaAs, дислокационный фильтр, epitaxy, low-temperature GaAs, dislocation filter
Страницы: 85-92
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация >>
Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

DOI: 10.15372/AUT20180210


11.
СОВРЕМЕННЫЕ АРХИТЕКТУРЫ И ТЕХНОЛОГИИ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ III-V ДЛЯ КОСМИЧЕСКОГО И НАЗЕМНОГО ПРИМЕНЕНИЯ

Н.А. Паханов1, В.М. Андреев2, М.З. Шварц2, О.П. Пчеляков1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
pakhanov@isp.nsc.ru
2Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26
vmandreev@mail.ioffe.ru
Ключевые слова: архитектуры и технологии солнечных элементов III-V, солнечные элементы III-V/Si, солнечные элементы III-V/Si-Ge-Sn, многопереходные солнечные элементы, субэлементы, метаморфные слои, architectures and technologies of III-V solar cells, III-V/Si solar cells, III-V/Si-Ge-Sn solar cells, multi-junction solar cells, subcells, metamorphic layers
Страницы: 93-112
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация >>
Многопереходные солнечные элементы (СЭ) на соединениях III-V являются самыми эффективными преобразователями солнечной энергии в электричество и широко используются в космических солнечных батареях и наземных фотоэлектрических модулях с концентраторами излучения. Все современные высокоэффективные солнечные элементы III-V основаны на отрабатываемой длительное время трёхпереходной III-V-гетероструктуре GaInP/GaInAs/Ge и имеют практически предельную для данной архитектуры эффективность 30 и 41,6 % для космического и наземного сконцентрированного излучений соответственно. Увеличение КПД в настоящее время происходит за счёт перехода от 3-переходной к более эффективным 4-, 5- и даже 6-переходным архитектурам III-V: развиваются технологии роста и методы постростовой обработки структур, создаются новые (с оптимальными значениями запрещённых зон) материалы и улучшаются кристаллографические параметры. В предлагаемом обзоре рассмотрены последние достижения и перспективы основных направлений исследований и совершенствования архитектур, технологий и материалов, на базе которых в лабораториях получены солнечные элементы с лучшими показателями эффективности преобразования: 35,8 % для космического, 38,8 % для наземного и 46,1 % для концентрированного солнечного излучений. Физические свойства соединений III-V хорошо изучены и разработаны технологии их получения. Максимальная эффективность фотоэлектрического преобразования СЭ на гетероструктурах III-V для внеатмосферного солнечного излучения достигает 35,8 % [1], что определяет их практически безальтернативное использование в космосе. В наземных условиях рекордные значения КПД СЭ составляют 38,8 % для неконцентрированного (AM1.5G) и 46,0 % для концентрированного (AM1.5D) излучений [1]. Предполагается, что к 2020 году эффективность приблизится к 40 % для прямого космического и к 50 % для концентрированного наземного солнечного излучений. В данном обзоре рассматриваются архитектуры и технологии изготовления СЭ с рекордной эффективностью для наземных и космических применений. Следует отметить, что в наземных энергоустановках использование СЭ III-V экономически выгодно в системах с концентраторами солнечного излучения.

DOI: 10.15372/AUT20180211


12.
КАНАЛ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ ПРИ ВЫСОКОЙ ПИКОВОЙ ЗАГРУЗКЕ

Ю.В. Юдин1,2, Д.Н. Григорьев1,2,3, Л.Б. Эпштейн1,2,3
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
Yu.V.Yudin@inp.nsk.su
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
D.N.Grigoriev@inp.nsk.su
3Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
L.B.Epshteyn@inp.nsk.su
Ключевые слова: усилители сигналов, лавинные фотодиоды, signal amplifiers, avalanche photodiodes
Страницы: 113-117
Подраздел: ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

Аннотация >>
Предложен метод усиления и формирования аналогового сигнала, оптимизированный для достижения наибольшего отношения сигнал/шум при работе с источником сигнала большой ёмкости и позволяющий при этом распознавать сигналы, которые поступили с небольшим интервалом времени. Разработан усилительный канал, реализующий предложенный метод. Данный канал предназначен для усиления сигналов лавинных фотодиодов в детекторах, построенных на основе быстрых сцинтилляторов. Описаны структура усилительного канала, принцип восстановления формы входного сигнала и основные схемотехнические решения, использованные в разработанном усилителе.

DOI: 10.15372/AUT20180212


13.
РОЛЬ ИНФОРМАЦИОННОЙ СИСТЕМЫ AGIS В ОБЕСПЕЧЕНИИ РАСПРЕДЕЛЁННОЙ ОБРАБОТКИ И МОДЕЛИРОВАНИЯ ДАННЫХ ЭКСПЕРИМЕНТА ATLAS

А.В. Анисёнков1,2
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкеpа СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
Alexey.Anisenkov@cern.ch
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: распределённые вычисления, информационные системы, сервисы грид, интеграция вычислительных ресурсов, distributed computing, information systems, grid services, integration of computing resources
Страницы: 118-124
Подраздел: ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ

Аннотация >>
При проведении современного эксперимента в области физики высоких энергий особое внимание уделяется вопросу глобальной интеграции информационных и вычислительных ресурсов в единую систему для осуществления эффективного хранения и обработки экспериментальных данных. Эксперимент ATLAS, проводимый на ускорительном комплексе Большого адронного коллайдера в Европейском центре ядерных исследований, ежегодно производит десятки петабайт данных с регистрирующей электроники, а также порядка петабайт данных с системы моделирования. Для обработки и хранения подобных сверхбольших объёмов данных компьютерная модель эксперимента ATLAS базируется на технологии географически распределённых параллельных вычислений, включающей глобальную грид-инфраструктуру проекта WLCG (Worldwide LHС Computing Grid) и способной удовлетворить требования эксперимента по обработке огромных массивов данных и обеспечить высокую степень их доступности (масштаба сотен петабайт). Рассматривается центральная информационная система AGIS (ATLAS Grid Information System), используемая коллаборацией ATLAS для описания топологии и ресурсов компьютерной инфраструктуры эксперимента, настройки и связи высокоуровневых программных систем вычислительных центров, описания и хранения всевозможных параметров, управляющей, конфигурационной и другой вспомогательной информации, необходимой для эффективного функционирования служб и сервисов глобальной распределённой системы обработки. Обозначена роль системы AGIS в создании концепции общего описания ресурсов вычислительных центров грид-узлов, суперкомпьютерных центров и ресурсов облачных вычислений в единую информационную модель для эксперимента ATLAS. Данный подход позволил коллаборации расширить вычислительные возможности проекта WLCG и интегрировать суперкомпьютеры и платформы облачных вычислений в программные компоненты системы распределённого анализа и запуска заданий (PanDA, ATLAS Production and Distributed Analysis workload management system).

DOI: 10.15372/AUT20180213