Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.192.25.113
    [SESS_TIME] => 1653197647
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 2e0b168cc4201e490d4aef75b3b18797
    [UNIQUE_KEY] => f21530fedb20b2470b23b7b0a8e6216a
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Теплофизика и аэромеханика

2020 год, номер 4

Пленочное охлаждение за двумя рядами траншей на плоской поверхности

А.А. Халатов1,2,3, Г‹. Щuджy2, Д. Ван2, Т.В. Доник1,3
1Институт технической теплофизики НАН Украины, Киев, Украина
artem.khalatov1942@gmail.com
2Джэйджанг университет, Синхуа, Китай
eshiju@163.com
3Национальный технический университет Украины, Киевский политехнический институт им. Игоря Сикорского, Киев, Украина
doniktv@ukr.net
Ключевые слова: траншея, два ряда отверстий, эффективность пленочного охлаждения, компьютерное моделирование
Страницы: 545-554

Аннотация

Представлены результаты компьютерного моделирования пленочного охлаждения за двумя рядами траншей на адиабатной поверхности с подачей охладителя через наклонные отверстия в траншее. Расчеты выполнены в диапазоне изменения параметра вдува от 0,4 до 2,2 с использованием коммерческого пакета ANSYS CFX 14 и SST модели турбулентности. Обнаружено, что при параметре вдува m > 0,6 за второй траншеей наблюдается асимметрия эффективности пленочного охлаждения, которая увеличивается с ростом параметра вдува. Это объясняется нестационарным характером взаимодействия охлаждающих струй из отверстий первого и второго рядов. В области между первым и вторым рядами траншей около концевых «полос» эффективность пленочного охлаждения на 5¸10 % выше, чем около средних, а за второй траншеей на 8¸20 % ниже, что связано с шахматным расположением отверстий вдува. Для всех параметров вдува осредненная по площади эффективность пленочного охлаждения около концевых «полос» адиабатной поверхности ниже, чем около средних.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину