Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.137.183.14
    [SESS_TIME] => 1714176272
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e0b28e3fca29452267e367aeacaa7a15
    [UNIQUE_KEY] => 7061b7f9120f04c59c758dd7f3558c12
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2022 год, номер 6

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ, СВЯЗАННЫХ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ

Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 37-41

Аннотация

Кинетика сигналов отражения наноструктур, состоящих из одинакового количества квантовых ям одинакового состава InxGa1-xAs (x = 0, 32) с барьерами из GaAs толщиной в 2, 4, 6 и 8 монослоёв, выращенных на полупроводниковом отражателе в одинаковых условиях, исследована методом накачки-зондирования. Обнаружена тенденция к укорочению времени релаксации для более тонких барьеров. Обсуждаются перспективы дальнейших исследований и практического применения квантовых ям, связанных туннелированием носителей заряда.

DOI: 10.15372/AUT20220605
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину