СТРУКТУРЫ PtSi/ПОЛИ-Si ДЛЯ ИК-ПРИЁМНИКОВ: ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И РАЗРАБОТКА МЕТОДА ИЗГОТОВЛЕНИЯ
К.В. Чиж, Л.В. Арапкина, В.П. Дубков, Д.Б. Ставровский, В.А. Юрьев, М.С. Сторожевых
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия
k_chizh@mail.ru
Ключевые слова: кремний, тонкие плёнки, силицид платины, ИК-спектроскопия
Страницы: 79-89
Аннотация
Один из перспективных подходов к решению задачи производства недорогих матричных фотоприёмных устройств заключается в разработке диодных матриц на основе структур с барьерами Шоттки PtSi/поли-Si, производимых по стандартным КМОП-процессам. При создании таких структур возникает ряд задач, решению которых посвящена данная работа. На этапе формирования слоёв Si/Si3N4 методом инфракрасной Фурье-спектроскопии обнаружена и исследована диффузия атомов водорода из плёнки Si3N4 в плёнку кремния при комнатной температуре. При исследовании формирования слоёв PtSi/поли-Si было установлено, что при магнетронном напылении платины на поверхности поли-Si образуется интерфейсная плёнка, состоящая из силицидов Pt3Si и Pt2Si, а при нагреве структуры Pt/(Pt3Si+Pt2Si)/поли-Si до ∼300 ◦C в течение 30 мин происходит переход фазы Pt3Si в фазу Pt2Si; далее с повышением температуры начинает образовываться соединение PtSi, а при температуре 480 ◦C все силициды полностью переходят в фазу PtSi.
DOI: 10.15372/AUT20220610 |
