ИК-ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЁННОГО ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ИОНАМИ Хе, ПОСЛЕ ОТЖИГОВ
С.Г. Черкова1, В.А. Володин1,2, В.А. Скуратов3,4,5, M. Stoffel6, H. Rinnert6, M. Vergnat6
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
cherkova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
3Объединённый институт ядерных исследований, Дубна Московской обл., Россия
skuratov@jinr.ru
4Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5Государственный университет "Дубна", Дубна Московской обл., Россия
6Universite de Lorraine, CNRS, IJL, Nancy, France
mathieu.stoffel@univ-lorraine.fr
Ключевые слова: фотолюминесценция, быстрые тяжёлые ионы, дефекты в кремнии
Страницы: 98-107
Аннотация
Исследована фотолюминесценция высокоомного кремния, облучённого тяжёлыми высокоэнергетичными ионами ксенона (167 МэВ). В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий X, W, W′ и C, проявляется широкая полоса в области 1,3-1,5 мкм. С увеличением дозы облучения в диапазоне 5 · 1010 · 1013 см-2 наблюдается снижение интенсивности и сужение полосы фотолюминесценции с одновременным смещением максимума в длинноволновую область. При последующих отжигах при температурах 400, 500, и 600 ◦C наблюдается изменение спектров фотолюминесценции, связанное с трансформацией структуры дефектов в кремнии. Исследована температурная зависимость фотолюминесценции в диапазоне от 10 до 170 K для образцов после облучения различными дозами и отжигов.
DOI: 10.15372/AUT20220612 |
