Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.230.173.188
    [SESS_TIME] => 1718698995
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => c47a9caa9dcb96691d22f3a319fd22fb
    [UNIQUE_KEY] => 93f8c6029476b138a6b07f28dce7b751
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2023 год, номер 2

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЧАСТОТНО-КОНТРАСТНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНФРАКРАСНЫХ КРТ-МАТРИЦ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЪЁМНОЙ ДЛИНЫ ДИФФУЗИИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МАТЕРИАЛЕ АБСОРБЕРА

В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vas@isp.nsc.ru
Ключевые слова: матричный фотоприёмник, фотодиод, профиль сканирования, длина диффузии, частотно-контрастная характеристика, функция рассеяния линии (ФРЛ), кадмий-ртуть-теллур (КРТ), моделирование методом Монте-Карло
Страницы: 110-120

Аннотация

Предложен способ оценки объёмной длины диффузии ( Ldif ) фотогенерированных носителей заряда в материале абсорбера фотоприёмных КРТ-матриц, основанный на анализе частотно-контрастной характеристики (ЧКХ) фотоприёмных устройств в нормальном режиме их работы и в режиме работы с пониженным затворным напряжением входных пиксельных транзисторов, когда имеет место многократное переиспускание взаимно наведённых токов соседних фотодиодов (ФД) матрицы. Предложенная математическая модель для ЧКХ КРТ-матриц с перезахватом эмитированных электронов ближайшими пикселями хорошо описывает поведение ЧКХ при переходе ко второму режиму работы, что проиллюстрировано на примере матриц с периодом 30 мкм, размером диодов ~10×10 мкм и толщиной слоя абсорбера 6 мкм. Фигурирующий в модели коэффициент передачи тока инжекции прямосмещённого ФД на соседний пиксель зависит от геометрических параметров матрицы и Ldif и может быть использован для определения последней.

DOI: 10.15372/AUT20230212
EDN: BJKVZG
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину