Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.146.37.222
    [SESS_TIME] => 1732192541
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => b4599b52888e7d44f778dc680cd4c2a6
    [UNIQUE_KEY] => b7d4bd2c2c9227a6e1eccbd159efbfa7
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

1999 год, номер 4

Структурная неустойчивость одномерных систем как основа физического принципа функционирования устройств молекулярной электроники.

Ю. Г. Кригер
Подраздел: ОБЗОРЫ

Аннотация

В статье предлагается и анализируется возможность использования явления структурной неустойчивости в одномерных проводящих молекулярных системах в качестве физического принципа функционирования устройств молекулярной электроники. Рассматриваются теоретические основы данного явления, с точки зрения молекулярной электроники анализируются условия и параметры, определяющие его характеристики. Приводятся данные об одномерных молекулярных структурах, представляющих интерес для построения электронных устройств. Рассматриваются особенности структурной неустойчивости и анализируются возможности статического и динамического управления проводимостью одномерных систем. Приводятся примеры молекулярных структур гипотетических электронных устройств. Обсуждаются возможности и перспективы данного подхода в развитии молекулярной электроники.