Главная – Журналы – Химия в интересах устойчивого развития 2000 номер 1-2

Изложены новые представления о природе глубоких и мелких уровней в аморфном нитриде кремния (-Si₃N₄), который в виде тонких слоев широко используется в микроэлектронике и солнечной энергетике. Построена самосогласованная диаграмма электронных уровней дефектов в запрещенной зоне нитрида кремния. Предложена непротиворечивая модель, описывающая механизм записи и стирания информации в интегральных ПЗУ на основе структур металл – нитрид – оксид – полупроводник. В качестве глубоких электронных ловушек предлагается рассматривать катион-радикалы кремния, связанные в матрице -Si₃N₄с тремя атомами азота и располагающиеся на 1.6 эВ ниже дна зоны проводимости, а в качестве глубоких ловушек для дырок – анион-радикалы кремния, расположенные на 1.8 эВ выше потолка валентной зоны. При таком подходе удается устранить противоречия, существующие между результатами исследования электрофизических и парамагнитных свойств -Si₃N₄. На основе диаграммы электронных уровней и электронно-колебательных переходов, наблюдаемых в спектрах люминесценции и спектрах возбуждения люминесценции нитрида кремния, появляется возможность рассматривать механизм фотопревращений в -Si₃N₄при воздействии УФ-облучения, например явления “усталости” фотолюминесценции (снижения ее интенсивности). Выдвинута гипотеза о природе мелких электронных ловушек у дна зоны проводимости -Si₃N₄.