ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ КОНСТАНТ МЛЭ–ПЛЕНОК GaAs n–ТИПА В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1,50–4,75 эВ
С. Н. Свиташева
Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск E-mail: Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru
Страницы: 108-115
Аннотация
Показана возможность определения толщины и спектральной зависимости комплексного показателя преломления верхних слоев сложных тонкопленочных структур на основе арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с помощью спектральной эллипсометрии – неразрушающего бесконтактного оптического метода – при использовании осцилляторной модели диэлектрической функции.
|